升压变换器电路设计的好伙伴，FHP200N4F3An沟道增强型场效应晶体管参数解读

文章类别：MOS管资讯发布时间：2024-05-14 浏览量：805 分享至：

伴以技术的不断升级，电力电子开关器件慢慢开展成各个新兴行业必不可缺少的一环。升压变换器、工业自动化控制系统等领域对n沟道增强型场效应晶体管这一能够灵活控制和调节电流的器件的须要持续上升。在设计升压变换器电路时，择选一款先进的的国产n沟道增强型场效应晶体管器件来国产替代IPP041N04NG型号十分紧要的。

n沟道增强型场效应晶体管的质量问题如散热效果不佳、产品寿命短等，经常会对升压变换器的常规开启造成影响，搜索高标准的国产替代型号n沟道增强型场效应晶体管产品就显得十分紧要的。

对于升压变换器电子技术员而言，在国产替代IPP041N04NG型号n沟道增强型场效应晶体管时，须要认真评估多个关键点。首先是n沟道增强型场效应晶体管的性能参数，如电流能不能实现200A、额定电压能不能实现40V等，所列参数与器件的工作效率有关联性。

依据于升压变换器领域的技术员来说，择选FHP200N4F3A的n沟道增强型场效应晶体管产品就是择选与IPP041N04NG技术参数精准匹配的解决快速方法，让各位仔细注重详细参数：

1、静态导通电阻RDS(ON)：2.4mΩ（Typ）、3.1mΩ（Max）
2、具有200A电流、40V电压
3、最高栅源电压：±20V
4、100%经过RG测试
5、N沟道场效应晶体管
6、阈值电压：2.0-4.0V

因为此期待提高升压变换器电路的控制能力，飞虹半导体乐意安利择选FHP200N4F3A型号n沟道增强型场效应晶体管。200A、40V的n沟道增强型场效应晶体管，它确实消解产品散热效果不佳、产品寿命短等存在问题。

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