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BMS保护板电子工程师在代换SVG10120NAT型号n沟道增强型SGTMOSFET时,需要专心挑选多个关键细节。首先是n沟道增强型SGTMOSFET的性能参数,就像说额定电流能否实现60A、额定电压能否实现100V等,前述参数主要影响了器件的工作效率。
全球BMS保护板生产公司以前已经普遍选取FHD60N1F10A视为SVG10120NAT的有效代换,可以获取广泛应用。强烈介绍大家了解其详尽的技术参数:
1、最大脉冲漏极电流:240A
2、Vgs:±20V
3、具有60A电流、100V电压
4、VGS(th):2.0-4.0V
5、场N沟道增强型
6、具有宽泛的BV电压
n沟道增强型SGTMOSFET在BMS保护板中控制保持稳定,质量格外好!
因而盼望增长BMS保护板电路的转换电流能力,飞虹半导体强烈介绍选取FHD60N1F10A型号n沟道增强型SGTMOSFET。60A、100V的n沟道增强型SGTMOSFET,它实在解除产品安全效益差、散热效果不佳、电磁干扰影响等存在问题。
为电子生产公司解除电路开发问题,飞虹半导体的FHD60N1F10A型号n沟道增强型SGTMOSFET值得信赖。家电、DC/DC电源转换器等应用都有保障,欢迎咨询400-831-6077获取免费试样服务!
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