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纯国产MOS管新择选:FHD100N8F6A的技术概述与优势分析

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-06-07 浏览量:330 分享至:
连同技术的突飞猛进,高压大电流开关器件徐徐发展为各个制造业重要程度的部分。后备式不间断电源、工业自动化控制系统等行业对MOS管这一可灵活控制和调节电流的器件的需求节节攀升。在设计后备式不间断电源电路时,择选一款完美的的纯国产MOS管器件来代换STP110N8F6型号焦点。 MOS管市场,有缺陷的产品一般问题包括涵盖:安全效益差、效率不高、可靠性降低等,涉及问题既严重干扰了后备式不间断电源的正常利用,又拉高了维护成本。从这个角度来看,择选出色的品质的MOS管代换产品焦点。 当后备式不间断电源电子技术员进行STP110N8F6型号MOS管的代换时,需求认真对待多个重要条件。首先,MOS管的性能参数刻不容缓,好比说电流会不会实现120安、电压会不会实现85V等,涉及参数密不可分着器件的工作效率。另一考虑因素是,Vcesat饱和压降和热阻(Rth(j-c))也重要考量点,完美的Vcesat饱和压降性能可提高后备式不间断电源的质量。 在实际案例分析,FHD100N8F6A早已于国外丰富后备式不间断电源生产商中成功代换STP110N8F6还得到广泛采纳。告诉每一位知晓其详细参数: 1、场N沟道增强型 2、静态导通电阻:5.3mΩ(Typ)、6.5mΩ(Max) 3、SGT工艺 4、具有120安电流、85V电压 5、阈值电压:2.0-4.0V 6、反向传输电容:18pF 7、Vgs:±20V 飞虹半导体告诉使用FHD100N8F6A型号的MOS管,以提高后备式不间断电源电路的转换电流能力。这种额定参数为120安、85V的MOS管,可真正消解产品安全效益差、效率不高、可靠性降低等难题。 后备式不间断电源等电子产品开发不再为难,有飞虹半导体的FHD100N8F6A型号MOS管在提供汽车电子、不间断电源等解决手段。元器件供货稳定持续性,赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务!

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