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在锂锰酸锂电池电子工程中,IPP037N08N3G型号低压mos管的抉择需要技术员重点重视其性能指标。好像,额定电流会不会满足185a、电压会不会实现了85伏等,提及指标直接牵扯着器件的工作效率。
依据锂锰酸锂电池电子技术员的需要,分享一款低压mos管产品:FHS170N8F3A。它在技术参数上精准可相配IPP037N08N3G,详实大家可重视参数:
1、静态导通电阻:2.95mΩ(Typ)、4mΩ(Max)
2、最大脉冲漏极电流:480A
3、100%经过热阻测试
4、N沟道场效应晶体管
5、VGS(th):2.0-4.0V
6、具有185a电流、85伏电压
渴望加强锂锰酸锂电池的功率开关能力,飞虹半导体解决孙女士需求,所以抉择FHS170N8F3A型号mos管。
飞虹半导体分享使用FHS170N8F3A型号的低压mos管,以加强锂锰酸锂电池电路的功率开关能力。这种额定参数为185a、85伏的低压mos管,完成实际解决产品可靠性差、散热不良等未知问题。
锂锰酸锂电池厂家选择飞虹半导体低压mos管厂家,专心致志为开关电源、DC/DC电源等电子厂家提供最为稳当的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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