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在逆变电源电子工程中,选用STP110N8F6型号耐压场效应晶体管需要工程师着重关切其性能指标,譬如说电流会不会满足120A、额定电压会不会达到85V等,这些指标与逆变电源电路的工作效率直接牵扯。需要指出的是,器件的击穿电压(BVCES)和电流上升率也重点环节,强大的击穿电压(BVCES)性能符合增进逆变电源的质量。
不少国内逆变电源厂家先前早已将FHP100N8F6A充当STP110N8F6的替换品,且得到大范围推广。建议每一位详细知了其性能参数:
1、获得极低的RDSON导通内阻
2、最高栅源电压:±20V
3、N沟道增强型场效应晶体管
4、雪崩电流:20A
5、具有120A电流、85V电压
6、RDS(ON):5.3mΩ(Typ)、6.5mΩ(Max)
7、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
飞虹半导体举荐选用FHP100N8F6A型号的耐压场效应晶体管,以改善逆变电源电路的控制能力。这种120A、85V的耐压场效应晶体管符合确实克服产品效率下降、可靠性不高、散热效果不佳、产品寿命短等艰难问题。
为电子厂家克服电路开发问题,飞虹半导体的FHP100N8F6A型号耐压场效应晶体管值得信赖。逆变器、无刷马达驱动等应用都有保障,欢迎咨询400-831-6077获取免费试样服务!
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