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当开关稳压器电子技术员进行IPP04N06N3型号低压场效应管的替换时,需求细心挑选多个重点细节。首先,低压场效应管的性能参数急需处置,譬如说电流会不会到达200安、电压会不会到达60v等,涉及参数直接关连着器件的工作效率。在这一点上,Vcesat饱和压降和饱和压降(VCE(sat))也优先事项,先进的Vcesat饱和压降性能能够提升增长开关稳压器的质量。
郭工在发掘纯国产低压场效应管替换IPP04N06N3型号场效应管。渴望发掘200A、60V,质量非常好的低压场效应管。
1、雪崩电流:28A
2、静态导通电阻:2.85mΩ(Typ)、3.5mΩ(Max)
3、Vgs:±20V
4、具有200安电流、60v电压
5、低Crss(典型值24pF)
6、N沟道增强型场效应晶体管
7、VGS(th):2.0-4.0V
渴望提升增长开关稳压器的控制能力,飞虹半导体解决郭总需求,所以选择FHP200N6F3A型号场效应管。
为提升增长开关稳压器电路的控制性能,飞虹半导体强烈分享采用型号为FHP200N6F3A的低压场效应管。这款200安、60v的低压场效应管能够确实克服产品产品缩短寿命、电磁干扰、散热问题等障碍难题。
飞虹半导体给开关稳压器公司的低压场效应管解决策略,让人悠闲愉悦,而且态度风貌是平易近人,后续将长期采购FHP200N6F3A型号低压场效应管。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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