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IPP041N04NG型号低压MOSFET在变频器电子工程中的利用,需要工程师着重关心其性能参数,好像,电流可不可以到达200A、额定电压可不可以到达40v等,前述参数深度关联着变频器电路的工作效率。再者,器件的短路耐量(ShortCircuitCapability)和封装类型也核心环节。
董工在找到纯国产低压MOSFET代替IPP041N04NG型号MOSFET。期许找到200A、40V,质量较好的低压MOSFET。
1、最大脉冲漏极电流:800A
2、静态导通电阻:2.4mΩ(Typ)、3.1mΩ(Max)
3、具有200A电流、40v电压
4、VGS(th):2.0-4.0V
5、场N沟道增强型
6、RoHS产品
FHP200N4F3A型号MOSFET持久耐用,寿命质量较好的低压MOSFET!
飞虹半导体乐意介绍使用FHP200N4F3A型号的低压MOSFET,以提升变频器电路的转换电流能力。这种额定参数为200A、40v的低压MOSFET,能够实际解除产品可靠性不高、效率不高、散热效果不佳、电磁干扰等疑难问题。
选择飞虹半导体的FHP200N4F3A型号低压MOSFET,协助处理变频器工厂解除电路开发难题,确保稳定的元器件供应。咨询热线:400-831-6077,免费试样等你拿!
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