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对于开关电源电子工程师而言,在替换STP170N8F7型号低压SGTMOSFET时,需求认真对待多个关键因子。首先是低压SGTMOSFET的性能参数,如额定电流可不可以实现185a、电压可不可以实现85伏等,提及参数与器件的工作效率具有直接关系的。
围绕开关电源领域的工程师来说,选取FHA170N8F3A的低压SGTMOSFET产品就如同选取与STP170N8F7技术参数完全匹配的解决方案,让大家仔细关心详实参数:
1、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
2、Vgs:±20V
3、N沟道场效应晶体管
4、雪崩电流:30A
5、具有185a电流、85伏电压
6、极低的输入电容
7、RDS(ON):2.95mΩ(Typ)、4mΩ(Max)
长寿命,寿命质量较好的低压SGTMOSFET!
飞虹半导体强烈力推选取FHA170N8F3A型号的低压SGTMOSFET,以改善开关电源电路的控制能力。这种185a、85伏的低压SGTMOSFET能有效化解产品散热能力低、效率不高、产品缩短寿命等疑难杂症。
飞虹半导体给开关电源企业的低压SGTMOSFET法子,让人悠闲安逸,而且精神是热情周到,后续将长期采购FHA170N8F3A型号低压SGTMOSFET。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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