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当电源模块电子工程师进行SVG095R0NT型号低压MOSFET的代替时,需要仔细检查多个核心考虑。首先,低压MOSFET的性能参数殷切期盼,比方说额定电流可不可以达到了147A、额定电压可不可以达到了85V等,涉及参数密切关系着器件的工作效率。另需了解的是,电压上升率(dv/dt)和饱和压降也重要特征,强悍的电压上升率(dv/dt)性能满足于提升电源模块的质量。
在实际案例研究,FHD110N8F5B眼下在全国丰富电源模块厂商中成功代替SVG095R0NT又赢得广泛应用。愿意推举我们知了其详细参数:
1、场N沟道增强型
2、静态导通电阻RDS(ON):4.4mΩ(Typ)、5.5mΩ(Max)
3、VGS(th):2.0-4.0V
4、最高栅源电压:±20V
5、100%经过RG测试
6、最大脉冲漏极电流:480A
7、具有147A电流、85V电压
细节入微,寿命质量甚好的低压MOSFET!
为了优化电源模块电路的转换电流性能,飞虹半导体愿意推举选用FHD110N8F5B型号的低压MOSFET。这款额定电流为147A、额定电压为85V的低压MOSFET,能够有效应对产品产品存安全隐患、电磁干扰影响等艰难问题。
飞虹半导体的服务姿态做到亲切细心,让电源模块厂商安稳安逸的交给其定制FHD110N8F5B型号低压MOSFET。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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