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功率逆变器电子工程师在挑拣英飞凌IPP030N10N3G型号SGTMOSFET进行代换时,要求特别注意其性能指标,譬如说额定电流会不会满足250a、电压会不会做到了100v等,上述指标直接影响到了器件的工作效率。需要补充的是,器件的封装类型和关断电荷量也核心的关注点。
以功率逆变器电子工程师的专有的要求,FHP250N1F2A给予了一个专业的SGTMOSFET解决计划,其技术规格与英飞凌IPP030N10N3G做到了等同水平,详情注意其详实的参数:
1、阈值电压:2.0-4.0V
2、最高栅源电压Vgs:±20V
3、RDS(ON):2.5mΩ(Typ)、3.0mΩ(Max)
4、场N沟道增强型
5、VTH细化分档
6、具有250a电流、100v电压
7、正向最大连续电流:250A
飞虹半导体为功率逆变器企业给予了克服方案:FHP250N1F2A型SGTMOSFET,一个250a、100v的强力参数,它将有效提升增进功率逆变器电路的转换电流能力,并克服产品的效率不高、散热问题、品牌口碑下降存在麻烦。
功率逆变器企业选择飞虹半导体SGTMOSFET代理,努力为LED照明、DC-AC逆变器等电子企业提供最为真实的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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