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在13串锂电池保护板电子工程中,STP110N8F6型号n沟道增强型SGTMOSFET的拣选需求技术员重点关注其性能指标。就像说,额定电流能不能满足120安、额定电压能不能做到了85v等,提及指标紧密相连着器件的工作效率。
FHS100N8F6A成功代替了STP110N8F6,进而在许多全国13串锂电池保护板企业中能够取得广泛实施。乐意告诉清楚其详细技术参数:
1、具有120安电流、85v电压
2、快速的开关能力
3、正向最大连续电流:80A
4、N沟道场效应晶体管
5、最高栅源电压:±20V
6、阈值电压:2.0-4.0V
意望提升增进13串锂电池保护板电路的转换电流性能,飞虹半导体乐意告诉拣选不易损坏的FHS100N8F6A型n沟道增强型SGTMOSFET,其120安、85v的参数有效化解了产品的安全效益差、效率不高、电磁噪声疑问问题。
13串锂电池保护板企业选择飞虹半导体n沟道增强型SGTMOSFET代理,尽心竭力为开关电源、UPS电源等电子企业提供稳当的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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