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FHP35N20W

行业通用名：IRFB31N20D 等等

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  • 针对功放系统的高效率、低失真度和EMI等特性表现，FHP35N20W采用平面工艺VDMOS,拥有优异的抗冲击特性前提下优化Rdson、Qg、trr等参数，从而广泛适配使用在Class-D功放电路上，如汽车功放、DSP功放上。其他MOS管品牌替代型号：IRFB31N20D 等

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产品参数

Part Number Polarity Package Vgs（±V） VTH（V） ID(A) BVdss(V) Rdson[mΩ]
型号 极性 封装形式 Vgs=10v
(typ)		 Vgs=10v
(max)
FHP35N20W
N
TO-220
30
2～4
35
200
0.069
0.08

产品详情

【产品类型】

N-channel Plane MOSFET



【产品描述】

      针对功放系统的高效率、低失真度和EMI等特性表现，FHP35N20W采用平面工艺VDMOS,拥有优异的抗冲击特性前提下优化Rdson、Qg、trr等参数，从而广泛适配使用在Class-D功放电路上，如汽车功放、DSP功放上。


【产品特点】

     100% EAS测试，100% DVDS测试，EAS雪崩能量高，一致性好，可靠性高,抗冲击性能强。



【应用举例】




      FHP35N20W使用在音频放大电路中的半桥和全桥电路上。


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