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当负载开关电子技术员选取FHP100N07C型号n沟道SGTMOSFET进行代换时,需求专注查找多个关键考虑。首先,n沟道SGTMOSFET的性能参数重视,好比额定电流可不可以得到了120安、额定电压可不可以得到了70V等,触及参数直接相关了器件的工作效率。要另加考虑的是,门极阈值电压和电流上升率也首要的关注点。
负载开关厂家产品电路图之前用FHP100N07C型号SGTMOSFET。现阶段的情形,预想寻找国内n沟道SGTMOSFET生产厂家分供FHD120N7F6A型号的n沟道SGTMOSFET用在负载开关代换FHP100N07C型号SGTMOSFET使用。
1、低Crss
2、最高栅源电压:±20V
3、场N沟道增强型
4、正向最大连续电流:120A
5、具有120安电流、70V电压
6、静态导通电阻RDS(ON):5.4mΩ(Typ)、6.4mΩ(Max)
预想在安徽找FHD120N7F6A型号的n沟道SGTMOSFET,抬高负载开关性能,安徽负载开关厂家管理者谢生因服务老好选取飞虹半导体
为了晋升负载开关电路的控制性能,飞虹半导体非常分享选取型号为FHD120N7F6A的n沟道SGTMOSFET。这款额定电流120安、额定电压70V的n沟道SGTMOSFET,能够事实化解产品散热效率低、可靠性差等存在疑问。
选择飞虹半导体的FHD120N7F6A型号n沟道SGTMOSFET,出手相助负载开关企业化解电路开发难题,确保稳定的元器件供应。咨询热线:400-831-6077,免费试样等你拿!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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