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BMS电子工程师在替换IPP041N04NG型号SGTMOSFET时,需要谨慎考虑多个核心特性。首先是SGTMOSFET的性能参数,例如额定电流是否到达200a、额定电压是否到达40伏等,这些参数紧密相关了器件的工作效率。
FHS200N4F3A在不少国际BMS厂家的选择中,早在以前替代了IPP041N04NG,又能够获取广泛使用。每一人建议您仔细查看其详细的产品规格:
1、N沟道场效应晶体管
2、100%DVDS测试
3、最高栅源电压Vgs:±20V
4、阈值电压:2.0-4.0V
5、正向最大脉冲电流:800A
6、具有200a电流、40伏电压
7、静态导通电阻RDS(ON):2.4mΩ(Typ)、3.1mΩ(Max)
飞虹半导体非常愿意告诉使用FHS200N4F3A型号的SGTMOSFET,以增加BMS电路的功率开关能力。这种额定参数为200a、40伏的SGTMOSFET,满足于实质处理产品可靠性弱、安全效益差、效率不高等存在问题。
飞虹半导体的态度立场做到热情支持,让BMS厂家宽心的交给其定制FHS200N4F3A型号SGTMOSFET。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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