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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
对于UPS电子工程师而言,在国产替代FGH60N60SMD型号IGBT时,需求专心致志多个关键方面。首先是IGBT的性能参数,如电流是否得到了60A、额定电压是否得到了650V等,所述参数与器件的工作效率有密不可分的关系的。
围绕以UPS领域的工程师来说,抉择FHA60T65A的IGBT产品就相等于抉择与FGH60N60SMD技术参数满足的解决分阶段方案,让我们仔细留意详实参数:
1、低VCEsat
2、ID (Tc=100℃):60A;BVCES:650V
3、VCEsat典型值:1.75V-typ,<2.0v
4、沟槽栅场截止型IGBT
5、低开关损耗等
冀望提升升高UPS的功率开关能力,飞虹半导体解决伏总需求,所以抉择FHA60T65A型号IGBT。
飞虹半导体强烈提议使用FHA60T65A型号的IGBT,以提升升高UPS电路的功率开关能力。这种额定参数为60A、650V的IGBT,完成现实化解产品散热问题、可靠性不高、产品存安全隐患等存在疑问。
为电子工厂化解电路开发问题,飞虹半导体的FHA60T65A型号IGBT值得信赖。中频逆器、线互动式UPS等应用都有保障,欢迎咨询400-831-6077获取免费试样服务!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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