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对于储能电源电子技术员而言,在替代英飞凌IPP030N10N3G型号MOS管时,需求仔细辨别多个重要参数。首先是MOS管的性能参数,如额定电流是否达到250安、电压是否达到100v等,提及参数与器件的工作效率相关的。
围绕着储能电源电子技术员的需求,非常提议一款MOS管产品:FHS250N1F2A。它在技术参数上相符英飞凌IPP030N10N3G,详尽每一位可注意参数:
1、场N沟道增强型
2、最高栅源电压:±20V
3、低导通内阻
4、阈值电压:2.0-4.0V
5、具有250安电流、100v电压
6、静态导通电阻RDS(ON):2.5mΩ(Typ)、3.0mΩ(Max)
MOS管在储能电源中控制稳妥,质量很好!
飞虹半导体非常提议挑选FHS250N1F2A型号的MOS管,以提高储能电源电路的控制能力。这种250安、100v的MOS管达到现实排解产品可靠性弱、产品寿命短、散热不良等存在难题。
飞虹半导体供应的FHS250N1F2A型号MOS管,是储能电源、开关电源和户外储能电源等电子产品厂商的优选,解决电路开发中的各种问题。保障元器件供应,详情请联系免费试样热线:400-831-6077!
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