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让电路更高效:为何FHA170N1F4A能国产替代SVG104R0NT成为超低内阻场效应晶体管新宠?

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2025-02-03 浏览量:251 分享至:
随着者技术的飞速发展,高性能功率开关器件在各个服务业的应用渗透不断。在开关模式电源、交流适配器等领域中,开关模式电源监管者迫切须要一种可有效控制和调节电流的器件——超低内阻场效应晶体管。挑拣一款突出的国产超低内阻场效应晶体管器件来国产替代SVG104R0NT型号,在开关模式电源电路的设计中须要。 现代,超低内阻场效应晶体管市场普遍面对:散热能力低、电磁噪声、可靠性弱等隐患,这不仅是极大阻碍了开关模式电源设备的正常运行,况且诱发了维护开支。以致,找优异品质的超低内阻场效应晶体管国产替代型号须要。 开关模式电源电子工程师在挑拣SVG104R0NT型号超低内阻场效应晶体管进行国产替代时,须要特别考虑其性能指标,比方说额定电流可不可以满足172安、电压可不可以到达100V等,提及指标直接关连了器件的工作效率。进一步来说,器件的Vcesat饱和压降和关断电荷量(Qgd)也必须关注的事项。 针对着开关模式电源电子工程师的须要,非常介绍一款超低内阻场效应晶体管产品:FHA170N1F4A。它在技术参数上完全可相配SVG104R0NT,具体我们可考虑参数: 1、静态导通电阻RDS(ON):3.6mΩ(Typ)、4.4mΩ(Max) 2、具有172安电流、100V电压 3、最高栅源电压Vgs:±20V 4、有效提高了转换效率 5、场N沟道增强型 6、VGS(th):2.0-4.0V 羿女士结合分析研判挑拣飞虹半导体,是因FHA170N1F4A型号用在开关模式电源。 为了增进开关模式电源电路的控制效率,飞虹半导体推介FHA170N1F4A型超低内阻场效应晶体管。凭借172安和100V的优越参数,轻松排解产品散热能力低、电磁噪声、可靠性弱的疑难问题。 开关模式电源制造商选择飞虹半导体超低内阻场效应晶体管工厂,一心一意为音响功放、户外电源等电子制造商提供力所能及的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!

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