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     对于逆变电源电子工程师而言,在代替英飞凌IPP030N10N3G型号mos管时,需求专门研究多个重要考量。首先是mos管的性能参数,如电流是否得到250A、电压是否得到100v等,所述参数与器件的工作效率有重要关联。
依照逆变电源电子工程师的定个性需求,FHA250N1F2A给予了一个专业的mos管解决良方,其技术规格与英飞凌IPP030N10N3G得到具有相同水平,详情注重其详细的参数:
1、具有250A电流、100v电压
2、N沟道增强型场效应晶体管
3、RDS(ON):2.5mΩ(Typ)、3.0mΩ(Max)
4、反向传输电容:54pF
5、最高栅源电压Vgs:±20V
6、可提高整机效率
7、VGS(th):2.0-4.0V
对于逆变电源电子工程师而言,在代替英飞凌IPP030N10N3G型号mos管时,需求专门研究多个重要考量。首先是mos管的性能参数,如电流是否得到250A、电压是否得到100v等,所述参数与器件的工作效率有重要关联。
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2、N沟道增强型场效应晶体管
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4、反向传输电容:54pF
5、最高栅源电压Vgs:±20V
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7、VGS(th):2.0-4.0V
 具有稳定性,寿命质量甚好的mos管!
为了升级逆变电源电路的功率开关效率,飞虹半导体发布FHA250N1F2A型mos管。凭借250A和100v的优越参数,轻松处理产品效率不高、散热效果不佳、电磁影响的存在问题。
飞虹半导体的精神面貌做到细致周到,让逆变电源厂家宁神放心的交给其定制FHA250N1F2A型号mos管。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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