热门产品
![]()
D880
免费试样加入清单![]()
FHP80N07/FHS80N07/FHD80N07
免费试样加入清单![]()
FHP20N60B/FHF20N60B/FHA20N60B
免费试样加入清单![]()
FHP12N60W/FHF12N60W
免费试样加入清单![]()
FHP8N60B/FHF8N60B
免费试样加入清单![]()
FHP10N60D/FHF10N60D
免费试样加入清单
欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
户外储能电源市场正以前所未有的速度增长,它不仅是应急备电的保障,更成为了露营、户外作业等场景的“移动能源站”。在这一领域,高效的DC-DC升降压电路是核心,而其中承担开关任务的MOS管,其性能直接决定了整机的转换效率、功率密度与可靠性。
许多工程师在设计中,尤其是推挽、半桥等拓扑结构里,习惯于沿用如MDP1991等经典型号。然而,随着系统对效率和散热提出更高要求,传统器件的局限性逐渐显现:导通损耗与开关损耗的平衡点是否还能优化?在电池包电压波动(如13-17串锂电池组)下,器件的雪崩耐量是否足够?面对这些挑战,一次精准的元器件替代升级,往往能带来系统级的性能提升。
选型要点提示:在高频开关电路中,评估一个MOS管不能只看VDSS和ID。品质因子 FOM (RDS(on) × Qg) 是衡量损耗与驱动难易程度的综合指标,数值越低,通常意味着在相同频率下整体效率更高。
飞虹半导体推出的170N1F4A,作为一款采用先进SGT工艺的N沟道场效应管,为上述问题提供了优秀的解决方案,成为替换MDP1991的强劲候选。
1. 更低损耗,解锁更高效率:对于储能电源的升压模块,导通损耗是关键。170N1F4A的RDS(on)低至3.4mΩ(典型值),同时保持了优秀的栅极电荷Qg。这意味着它在提供更低导通电阻的同时,没有以牺牲开关速度为代价,优秀的FOM值使其在高频工作时能有效降低总损耗,提升整机转换效率。
2. 坚固耐用,保障系统安全:户外环境复杂,电池端可能产生电压尖峰。该器件通过了100%雪崩能量(EAS)测试,拥有高雪崩耐量,为系统提供了额外的安全裕量。同时,100%的Rg与热阻测试,确保了批次间极高的一致性,让工程师的设计更稳定,无需为参数离散性担忧。
3. 散热优化,提升功率密度:紧凑的机身要求更好的散热。170N1F4A的TO-220封装型号结到壳热阻RθJC低至0.55℃/W,能更快速地将芯片热量传导至散热器,允许系统在更小的散热条件下运行更高功率,有助于实现产品的小型化与轻量化。
从MDP1991到170N1F4A的替代思考,揭示了现代功率器件选型的一个趋势:不应仅停留在满足基本参数的“可用”层面,而应追求在效率、可靠性、散热等维度实现“更优”。以飞虹半导体为代表的国产mos管工厂,通过SGT等先进工艺,已经在核心性能指标上实现了对标甚至超越。
对于电子工程师而言,在储能电源、逆变器、电机驱动等设计中,不妨将170N1F4A这类高性能国产器件纳入评估清单。通过仔细比对FOM、开关特性曲线、热阻以及可靠性测试报告,你可能会发现,一次审慎的国产化选型,不仅能优化电路性能、降低供应链风险,更能为产品注入更强的市场竞争力。
(注:具体设计时请务必参考官方数据手册,并进行充分的测试验证。)
*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
相关内容推荐
热门产品
D880
FHP80N07/FHS80N07/FHD80N07
FHP20N60B/FHF20N60B/FHA20N60B
FHP12N60W/FHF12N60W
FHP8N60B/FHF8N60B
FHP10N60D/FHF10N60D
留下您的需求产品 快速响应免费提供试样
收起来





