欢迎进入飞虹半导体官网，纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线： 400-831-6077

飞虹半导体

快速导航

FHP80N08B

发布时间：2017-05-22 17:03:40

行业通用名：HY3008、IRF3607等

查看规格书 >

  • 飞虹80N08B场效应管，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于逆变器前级电路。其它品牌替代型号：HY3008、IRF3607

免费试样 加入试样清单

获取产品免费试样

您的称呼：
联系方式：
产品试样：

产品参数

Part Number Polarity Package Vgs（±V） VTH（V） ID(A) BVdss(V) Rds（on）(mΩ)
型号 极性 封装形式 Vgs=10v
(typ)		 Vgs=10v
(max)		 Vgs=4.5v
(typ)		 Vgs=4.5v
(max)
FHP80N08B/FHS80N08B
N
TO-220 TO-263
20
2～4
90
80
6.8
8

产品详情

【飞虹80N08B产品描述】

飞虹80N08B场效应管，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于逆变器前级电路。其它品牌替代型号：HY3008、IRF3607


【飞虹80N08B产品优势】

一致性好，高可靠性，雪崩耐量高,导通内阻低。


【飞虹80N08B应用举例】


   

热门标签： 国产FHP100N08VFHU70N03VFHD70N03V国产FHP230N06VFHP100N08V国产MOS管

上一条：

FHP80N07/FHS80N07/FHD80N0...

下一条：

FHP100N07V

返回

FHP80N08B产品应用文章

为什么选择飞虹

全方位营销服务体系，15+年FAE经验技术支持

飞虹半导体专注功率器件研发生产

MOS场效应管 / IGBT单管 / 二极管 / 三极管

免费试样：400-831-6077

微信扫一扫,直接沟通!

Trench MOSFET产品应用文章更多>
相关电路解决方案更多>

相关产品推荐

  • FHP230N06V4

    FHP230N06V4采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
    免费试样
    加入清单

  • FHF3N150A/FHA3N150A

    低导通内阻，高抗dv/dt能力，100% EAS测试（抗冲击能力强），100% DVDS热阻测试（散热性能好），100% Rg测试，可靠性高（满足工业级可靠性要求）。
    免费试样
    加入清单

  • FHA50N25W
    免费试样
    加入清单

  • FHP70N11V/FHD70N11V

    70N11V采用先进的沟槽技术，结合更优的工艺条件、精细优化器件结构，使产品拥有极低的导通电阻并优化了开关特性和可靠性。该晶体管可提供TO-252和TO-220等不同封装外形，可适用于各种功率开关电路，实现系统小型化和高效率。产品符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤要求。
    免费试样
    加入清单

  • FHP3205C/FHD3205C
    免费试样
    加入清单

  • FHA40N60W
    免费试样
    加入清单

  • FHP60R190AF/FHF60R190AF/FHA60R190AF

    飞虹60R190FA，N沟道 Cool-MOS管，主要应用于开关电源。其他MOS管品牌替代型号：SPP20N60C3 等。
    免费试样
    加入清单

  • FHP16N65A/FHF16N65A
    免费试样
    加入清单

  • FHA90N25W

    N沟道增强型VDMOS，ID=90A ，BVDSS=250V ，RDSON：26mΩ-typ，35mΩ-max，TO-3PN封装外形，市场参考型号：IRFP4332PBF
    免费试样
    加入清单

  • FHP15N10D
    免费试样
    加入清单

  • FHP150N06B/FHA150N06B

    飞虹150N06B，可适用于12V输入电压的逆变器前级的DC-DC升压电路(Q1-Q2)。对标其它场效应管品牌型号：IRFP064N、3205、HY3606；
    免费试样
    加入清单

  • FHP80N07G/FHS80N07G/FHD80N07G
    免费试样
    加入清单

  • FHP1404V

    FHP1404V采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，实现系统高效率和高可靠性。产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
    免费试样
    加入清单

  • FHP80N07L
    免费试样
    加入清单

  • FHP150N03B/FHS150N03B/FHD150N03B

    飞虹150N03C，采用先进的trench工艺来获得优秀的FOM（RDSon*Qg）,广泛使用在UPS、锂电池保护板、负载开关、电动工具等电机驱动控制；其它mos管品牌替代型号：150N03。
    免费试样
    加入清单

  • FHP65R580B/FHF65R580B/FHD65R580B
    免费试样
    加入清单

  • FHP30N30W/FHF30N30W/FHA30N30W
    免费试样
    加入清单

  • FHP80N08B/FHS80N08B

    飞虹80N08B场效应管，N沟道沟槽工艺MOS管，适用于逆变器前级电路。其它品牌替代型号：HY3008、IRF3607
    免费试样
    加入清单

  • FHP8N65W/FHF8N65W/FHD8N65W

    飞虹8N65为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于各类开关电源，AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
    免费试样
    加入清单

  • FHP12N60D/FHF12N60D
    免费试样
    加入清单

  • FHA24N50W

    飞虹FHA24N50W，plane VDMOSFET，采用平面工艺芯片，拥有高抗冲击能力，适用于各类开关电源，可用在1500W额定功率逆变器全桥电路结构上，最大可支持到2000W功率，完全足够适用在1500W额定功率的逆变器上，可完全替代飞虹原有的FHA24N50B和ON的FDA24N50/FDA24N50F型号。
    免费试样
    加入清单

  • FHP3205D

    飞虹3205场效应管，N沟道平面工艺MOS管，适用于开关电源、12V逆变电源、同步整流、300W/12V输入的逆变器的前级电路。其它品牌替代型号：IRF3205。
    免费试样
    加入清单

  • FHP7N60/FHF7N60

    7N60为N沟道增强型高压功率MOS场效应管。该产品广泛适用于AC-DC开关电源， DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
    免费试样
    加入清单

  • FHP35N20W

    针对功放系统的高效率、低失真度和EMI等特性表现，FHP35N20W采用平面工艺VDMOS,拥有优异的抗冲击特性前提下优化Rdson、Qg、trr等参数，从而广泛适配使用在Class-D功放电路上，如汽车功放、DSP功放上。其他MOS管品牌替代型号：IRFB31N20D 等
    免费试样
    加入清单
      • 飞虹半导体已为10000+电子领域企业提供一站式MOS管解决方案 | 电话 : 400-831-6077
      飞虹半导体已为10000+电子领域企业提供一站式MOS管解决方案 关闭

      收起来

      点击申请
      免费试样