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产品参数
| Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(mΩ) | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | Vgs=4.5v(typ) | Vgs=4.5v(max) | ||||
FHP80N08B/FHS80N08B | N | TO-220 TO-263 | 20 | 2~4 | 90 | 80 | 6.8 | 8 | ||
产品详情
【飞虹80N08B产品描述】
飞虹80N08B场效应管,N沟道沟槽工艺MOS管,适用于逆变器前级电路。其它品牌替代型号:HY3008、IRF3607
【飞虹80N08B产品优势】
一致性好,高可靠性,雪崩耐量高,导通内阻低。
【飞虹80N08B应用举例】
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当工程师拆解烧毁的逆变器时,往往发现发黑的80N08B场效应管。本文揭示国产Trench工艺MOS管如何通过雪崩测试和热阻优化,实现进口型号HY3008的完美替换。
本文详细介绍了飞虹半导体的80N08B SGTMOSFET在逆变电源设计中的优势,探讨其如何实现国产替代,并提供选型建议与技术指导,帮助工程师优化设计。
飞虹半导体国产MOS管80N08B凭借Trench工艺与雪崩耐量优势,完美适配逆变电源设计,现开放免费试样通道,助力工程师突破选型困境。
本文讲述国产优质MOS管如何完美代换进口型号IRF3607,重点解析飞虹半导体80N08B在逆变电源应用中的性能优势与供货保障,为采购人员提供高性价比替代方案。
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