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产品参数
Part Number | Polarity | Package | Vgs(±V) | VTH(V) | ID(A) | BVdss(V) | Rds(on)(Ω) | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
型号 | 极性 | 封装形式 | Vgs=10v(typ) | Vgs=10v(max) | Vgs=4.5v(typ) | Vgs=4.5v(max) | ||||
FHP80N08B/FHS80N08B | N | TO-220 TO-263 | 20 | 2~4 | 90 | 80 | 6.8 | 8 |
产品详情
【飞虹80N08B产品描述】
飞虹80N08B场效应管,N沟道沟槽工艺MOS管,适用于逆变器前级电路。其它品牌替代型号:HY3008、IRF3607
【飞虹80N08B产品优势】
一致性好,高可靠性,雪崩耐量高,导通内阻低。
【飞虹80N08B应用举例】
热门标签: 国产FHP230N06VFHP230N06V国产MOS管代换IPP030N10N3GCS160N06|HY3906P|IRFB7537PBF
FHP80N08B产品应用文章
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本文详细介绍了飞虹半导体的80N08B SGTMOSFET在逆变电源设计中的优势,探讨其如何实现国产替代,并提供选型建议与技术指导,帮助工程师优化设计。
在逆变电源设计中,场效应管的选型至关重要。飞虹半导体的80N08B场效应管以其高可靠性和优异的性能,成为国产替代的理想选择。本文深入探讨80N08B在逆变电源中的应用优势,帮助您解决选型难题,提升产品性能。
本文通过一个硬件工程师的选型故事,讲述国产场效应管80N08B如何在逆变电源设计中脱颖而出,帮助解决选型难题,并提供免费试样信息。
本文详细介绍飞虹半导体SGTMOSFET产品80N08B的性能优势及在逆变电源中的应用,提供国产替代IRF3607的专业选型指南,并推出限时免费试样活动。
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