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FHS200N4F3A低压SGTMOSFET:绝佳的户外储能电源电路实现元器件

文章类别:MOS管资讯 发布时间:2024-06-11 浏览量:265 分享至:
伴之而行科技的不断革新,电力电子开关器件在各个制造产业的应用日趋广泛。在户外储能电源、家庭游戏机和娱乐设备等领域中,户外储能电源负责者紧迫要求一种符合有效控制和调节电流的器件——低压SGTMOSFET。采用一款优越的国内低压SGTMOSFET器件来替换IPP041N04NG型号,在户外储能电源电路的设计中蛮关键。 低压SGTMOSFET市场近年来面对多重压力,不完善的存在使用:散热能力低、电磁影响、可靠性降低等瑕疵,这不止是严重制约了户外储能电源的正常运转,更并发了维护开支。在这种情景下,采用超高品质的低压SGTMOSFET替换型号参数蛮关键。 对于户外储能电源电子工程师而言,在替换IPP041N04NG型号低压SGTMOSFET时,要求专注于多个首要条件。首先是低压SGTMOSFET的性能参数,如电流是否实现200安、额定电压是否实现40伏等,所列参数与器件的工作效率之间具有紧密互动的。 骆技术员在追求国内低压SGTMOSFET替换IPP041N04NG型号SGTMOSFET。巴望追求200A、40V,质量太好的低压SGTMOSFET。 1、VGS(th):2.0-4.0V 2、极低的FOM(RDSON*Qg) 3、静态导通电阻:2.4mΩ(Typ)、3.1mΩ(Max) 4、最高栅源电压:±20V 5、雪崩电流:20A 6、N沟道场效应晶体管 7、具有200安电流、40伏电压 巴望在红河市找FHS200N4F3A型号的低压SGTMOSFET,提升加强户外储能电源性能,红河市户外储能电源厂家负责者骆先生因服务太好采用飞虹半导体 在这种情景下巴望提升加强户外储能电源电路的功率开关能力,飞虹半导体愿意分享采用FHS200N4F3A型号低压SGTMOSFET。200安、40伏的低压SGTMOSFET,它根本化解产品散热能力低、电磁影响、可靠性降低等问题。 飞虹半导体的态度作风做到心灵手巧,让户外储能电源生产公司宁神省心的交给其定制FHS200N4F3A型号低压SGTMOSFET。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!

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