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对于户外储能电源电子工程师而言,在替换IPP041N04NG型号低压SGTMOSFET时,要求专注于多个首要条件。首先是低压SGTMOSFET的性能参数,如电流是否实现200安、额定电压是否实现40伏等,所列参数与器件的工作效率之间具有紧密互动的。
骆技术员在追求国内低压SGTMOSFET替换IPP041N04NG型号SGTMOSFET。巴望追求200A、40V,质量太好的低压SGTMOSFET。
1、VGS(th):2.0-4.0V
2、极低的FOM(RDSON*Qg)
3、静态导通电阻:2.4mΩ(Typ)、3.1mΩ(Max)
4、最高栅源电压:±20V
5、雪崩电流:20A
6、N沟道场效应晶体管
7、具有200安电流、40伏电压
巴望在红河市找FHS200N4F3A型号的低压SGTMOSFET,提升加强户外储能电源性能,红河市户外储能电源厂家负责者骆先生因服务太好采用飞虹半导体
在这种情景下巴望提升加强户外储能电源电路的功率开关能力,飞虹半导体愿意分享采用FHS200N4F3A型号低压SGTMOSFET。200安、40伏的低压SGTMOSFET,它根本化解产品散热能力低、电磁影响、可靠性降低等问题。
飞虹半导体的态度作风做到心灵手巧,让户外储能电源生产公司宁神省心的交给其定制FHS200N4F3A型号低压SGTMOSFET。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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