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当锂铁磷酸电池电子工程师进行STP110N8F6型号MOS管的代替时,需求特别留意多个核心方面。首先,MOS管的性能参数时不我待,就像额定电流能否实现120a、额定电压能否实现85v等,提及参数直接控制着器件的工作效率。额外的考虑因素是,电压上升率(dv/dt)和电压上升率(dv/dt)也主要点,具有竞争力的电压上升率(dv/dt)性能实现提升加强锂铁磷酸电池的质量。
杭工在找着纯国产MOS管代替STP110N8F6型号MOS管。盘算找着120A、85V,质量格外好的MOS管。
1、反向传输电容:18pF
2、具有120a电流、85v电压
3、N沟道场效应晶体管
4、具有宽泛的BV电压
5、Vgs:±20V
6、静态导通电阻:5.3mΩ(Typ)、6.5mΩ(Max)
7、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
盘算提升加强锂铁磷酸电池电路的控制性能,飞虹半导体强烈提议决定有保障的的FHS100N8F6A型MOS管,其120a、85v的参数有效应对了产品的安全效益差、散热效果不佳存在问题。
锂铁磷酸电池等电子产品开发不再让人头疼,有飞虹半导体的FHS100N8F6A型号MOS管在提供开关电源、家庭储能电源等解决快速方法。元器件产品供应稳定,赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务!
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