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开关电源电子设计师在国产替代STP170N8F7型号低压mos管运用时,须要看全局的重要指标。例如,低压mos管的性能参数:电流可不可以达到了185a、电压可不可以达到了85V等,描述都主要影响器件的工作效率。除此之前,热阻(Rth(j-c))和拖尾电流也是必须注意因素。
国外开关电源制造商先前普遍决计FHA170N8F3A充当STP170N8F7的有效国产替代,能够收获大规模采纳。强烈安利各位知晓其详尽的技术参数:
1、静态导通电阻:2.95mΩ(Typ)、4mΩ(Max)
2、场N沟道增强型
3、最高栅源电压:±20V
4、SGT工艺
5、雪崩电流:30A
6、具有185a电流、85V电压
7、阈值电压:2.0-4.0V
郝女士综合分析处理决计飞虹半导体,是因FHA170N8F3A型号常用在开关电源。
冀望提升升高开关电源电路的控制性能,飞虹半导体强烈安利决计长寿命的FHA170N8F3A型低压mos管,其185a、85V的参数有效克服了产品的效率不高、电磁影响、可靠性差存在困难。
飞虹半导体给开关电源制造商的低压mos管措施,让人安心舒适,而且精神风貌是心悦诚服,后续将长期采购FHA170N8F3A型号低压mos管。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!*本站所有相关知识仅供大家参考、学习之用,部分来源于互联网,其版权均归原作者及
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