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欢迎进入飞虹半导体官网,纯国产IGBT|MOS管|场效应管生产厂家 咨询热线: 400-831-6077
当逆变电源电子设计师采选仙童FGH75N65SHDT型号IGBT进行代替时,需要认真考量多个重要细节。首先,IGBT的性能参数关心,譬如电流能否实现75a、额定电压能否实现650伏等,这些参数直接关系了器件的工作效率。值得强调的是,Vcesat饱和压降和电压上升率也不可忽视的重点。
围绕于逆变电源电子设计师的专门定制需要,FHA75T65A供应了一个专业的IGBT解决改进方案,其技术规格与仙童FGH75N65SHDT实现并列,详情关心其详尽的参数:
1、拥有反向并行的快恢复二极管
2、ID (Tc=100℃):75A;BVCES:650V
3、VCEsat典型值:1.75V-typ,<2.0V
4、场N沟道沟槽栅截止型
5、关断损耗低等
为了抬升逆变电源电路的控制性能,飞虹半导体愿意安利采选型号为FHA75T65A的IGBT。这款额定电流75a、额定电压650伏的IGBT,实现真实排解产品电磁噪声、效率不高、散热能力低等存在困难。
逆变电源厂家选择飞虹半导体IGBT生产厂家,尽力为马达驱动、不间断电源等电子厂家提供合理的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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