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升压变换器电子工程师在替代IPP04N06N3型号中低压MOSFET运行时,需求注重不少核心特性。例如,中低压MOSFET的性能参数:额定电流能否达到了200A、电压能否达到了60V等,提及都直接对应器件的工作效率。除了以上因素,热阻和电流上升率也是核心的因素。
倚仗了升压变换器电子工程师的定制型需求,FHP200N6F3A供给了一个专业的中低压MOSFET解决应对策略,其技术规格与IPP04N06N3达到了同样水准,详情注重其详尽的参数:
1、具有200A电流、60V电压
2、正向最大连续电流:200A
3、静态导通电阻RDS(ON):2.85mΩ(Typ)、3.5mΩ(Max)
4、阈值电压VGS(th):2.0-4.0V
5、最高栅源电压Vgs:±20V
6、场N沟道增强型
7、开关速度快
飞虹半导体非常愿意举荐使用FHP200N6F3A型号的中低压MOSFET,以抬升升压变换器电路的控制能力。这种额定参数为200A、60V的中低压MOSFET,兼顾实在应对产品产品缩短寿命、效率下降等疑难杂症。
升压变换器生产厂家选择飞虹半导体中低压MOSFET生产厂家,真心真意为锂电池保护、移动电源等电子生产厂家提供力所能及的元器件供应保障。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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