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STP80N10F型号中低压SGTMOSFET在BMS保护板电子工程中的采用,需要设计师着重看其性能参数,好比,额定电流能不能得到60安、电压能不能得到100v等,这些参数直接牵扯着BMS保护板电路的工作效率。需要注意的是,器件的饱和压降(VCE(sat))和关断电荷量也关键组成部分。
依于BMS保护板电子设计师的私人订制要求,FHD60N1F10A供给了一个专业的中低压SGTMOSFET解决方法,其技术规格与STP80N10F得到同样规格,详情看其具体的参数:
1、RDS(ON):10.2mΩ(Typ)、12mΩ(Max)
2、阈值电压:2.0-4.0V
3、100%经过热阻测试
4、N沟道场效应晶体管
5、Vgs:±20V
6、反向传输电容:10pF
提升BMS保护板电路性能的缘于控制能力,飞虹半导体的FHD60N1F10A型中低压SGTMOSFET以其60安、100v的强大参数,确保克服产品的可靠性低、效率下降、散热效率低麻烦问题。
BMS保护板等电子产品开发不再难缠,有飞虹半导体的FHD60N1F10A型号中低压SGTMOSFET在提供开关电源、直流变换器,降压变换器等解决方法。元器件供货保障稳固,赶紧拨打400-831-6077试样热线体验服务!
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