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高频逆变器电子技术员在替代FGH75N65SHDT型号高压IGBT时,需要专心研究多个核心考虑。首先是高压IGBT的性能参数,如同额定电流会不会得到75a、额定电压会不会得到650v等,提及参数直接关联了器件的工作效率。
75A、650V参数是高频逆变器厂家的昌工程师搜寻国产高压IGBT替代厂家的关注点,其盼望搜寻质量格外好的高压IGBT厂家。
1、低开关损耗
2、ID (Tc=100℃):75A;BVCES:650V
3、VCEsat典型值:1.75V-typ,<2.0V
4、场N沟道沟槽栅截止型
5、带有反向并行快恢复二极管等
以致盼望提升增添高频逆变器电路的功率开关能力,飞虹半导体非常愿意举荐决计FHA75T65A型号高压IGBT。75a、650v的高压IGBT,它实际性解除产品效率下降、产品寿命短、散热能力低等存在麻烦。
飞虹半导体的精神风采做到温馨,让高频逆变器生产公司愉悦的交给其定制FHA75T65A型号高压IGBT。详情亦可百度搜索“飞虹半导体”或拨打免费试样热线: 400-831-6077!
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