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100V、300A型号参数,通信电源MOS管型号,推荐FHL300N1F2A场效应管代换!

文章类别:精选文章 发布时间:2023-09-16 浏览量:380 分享至:

在8月29日华为新款手机Mate 60 Pro悄然上线开售,意味着国产化半导体领域往顶尖实力再往上攀登了一重。这离不开国产半导体厂商的技术不断迭代的攀登精神,更离不开各大电子厂商、消费者对国产化产品品质的认可。


其实在非常多的领域产品,国产已经丝毫不输国外的产品,比如在通信电源的领域,FHL300N1F2A场效应管已经可替代IPT020N10N5型号参数来应用。


这款国产化的MOS管产品历经非常多国产电子厂商的稳定使用,所以飞虹半导体建议如果想要提升自家通信电源的质量以及性价比,那MOS管代换IPT020N10N5参数型号可用FHL300N1F2A场效应管。


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为何?因为FHL300N1F2A型号场效应管具备以下特点:


1、低导通内阻:支持更小的阻抗和更大的峰值电流。

2、100% EAS测试

3、100% DVDS热阻测试(更低的热阻,带来优异的温升表现)

4、100% Rg测试

5、工业级的可靠性能:封装电感小,带来出色的EMI特性和可靠性。


从上述特点可知,这一款工业级的300A、100V电流、电压的FHL300N1F2A场效应管型号参数是很适合使用在通信电源的电路。


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当然,在应用中,我们电源研发工程师一定要了解这款优质FHL300N1F2A国产场效应管的详细参数:其具有300A、100V的电流、电压,  RDS(on) = 2.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =1.6mΩ(TYP) @VGS = 10 V,最高栅源电压@VGS =±20 V。


FHL300N1F2A是一款N沟道增强型场效应晶体管,FHL系列产品采用TOLL-8L封装外形,其封装产品具有小体积、低寄生电感、低封装内阻、低热阻等特点。


这款产品还具体参数值为:Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V;ID(A):300A;BVdss(V):100V。


反向传输电容:328pF、静态导通电阻(typ):1.6mΩ、最大脉冲漏极电流(IDM ):1200(A)。


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回归上述问题,国产化的半导体之路必然是提升产品性价比的未来,核心在于寻求优质的FHL300N1F2A场效应管代换IPT020N10N5参数型号用于通信电源的电路。


100V、300A 的MOS管代换使用,选对型号很重要。飞虹半导体的MOS管不仅广泛应用于通信电源中,还可用于新能源电动车、音响功放、UPS等终端应用场景。为国内的电子产品厂家提供了优质的产品以及配套服务。除提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。直接百度输入“飞虹半导体”即可找到我们,免费试样热线:400-831-6077。


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